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在民众功率半导体产业加快向第三代材料氮化镓移动的态势中，无时常刻献技一场技巧与本钱的双重争夺战。近期，业界动作频频，从头品发布到产能延迟，从本钱并购到技巧突破，频年来，氮化镓赛说念呈现出前所未有的活跃态势。为助力诸君读者一又友了解最近氮化镓半导体行业动态，充电头网整理了2024年10月-2025年3月底间的行业事件，下文小编将为您扎眼先容。

近期氮化镓半导体行业动态

以下排序不分先后，按品牌拼音首字母限定摆设。

2024年10月

镓仁半导体奏效制备2英寸氧化镓单晶和超厚6英寸氧化镓单晶

2024年10月，据镓仁半导体官微音尘采选自主研发设备采选垂直布里奇曼法初次奏效制备2英寸氮化镓单晶。同月，镓仁半导体采选自主研发的第二代锻造法奏效制备6英寸超厚氮化镓单晶，晶锭厚度达20mm以上。

纳微发布四款基于DPAK-4L封装氮化镓参考设想

2024年10月14日，纳微半导体认真发布了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产物——GaNSlim系列，并于10月15日在深圳召开了民众发布会。本次发布会带来100W Flyback PFC（100W单级PFC演示板）、75W TV Power demo（针对电视电源适配器设想的演示板）、70W demo（70W氮化镓电源适配器决策）、65W demo（65W氮化镓电源适配器决策）多款参考设想demo。

关系阅读：

1、纳微发布四款基于DPAK-4L封装氮化镓参考设想

英飞凌告示推出民众最薄硅晶圆

2024年10月29日，英飞凌官微音尘。英飞凌告示在处理和加工史上最薄的硅功率晶圆方面取得了突破性进展，推出直径为300mm，厚度为20μm的硅功率晶圆，厚度仅为头发丝的四分之一，厚度仅为40-60μm晶圆厚度的一半。英飞凌暗示，本次蜕变可令基板电阻镌汰50%，系统功率损耗镌汰15%以上，简略有用镌汰高端AI就业器功率损耗。

2024年11月

Pi发布了民众首款1700V氮化镓功率IC——InnoMux-2系列

在2024年11月份，Power Integrations视频号发布了民众首款1700V氮化镓功率IC——InnoMux-2系列，这一效率标记着氮化镓技巧在高压操纵领域取得了里程碑式的突破，并从头界说了高压功率器件的性能递次。依托PI特有的PowiGaN技巧，InnoMux-2凭借高达1700V的耐压才气，以及对1000VDC额定输入电压的简约营救，成为业界在高压领域的新标杆。

关系阅读：

1、Power Integrations InnoMux-2引颈高压氮化镓技巧突破

2024年12月

忱芯科技完成2亿元B轮融资

2024年12月，忱芯科技完成2亿元B轮融资，本轮融资由国投创业领投，阳光融汇、苏创投和其老股东火山石投资跟投。该公司聚焦碳化硅/氮化镓/硅基功率半导体测试，推出遮盖全才略的测试系统，突破低杂感技巧（6nH），已托福200余台设备，就业海表里龙头企业。公司同步布局医疗CT高压发生器及精密源表，获 100 余项专利。团队由20年碳化硅领域众人毛赛君博士领衔，获本钱认同其技巧进步性及民众化布局才气，本轮资金将用于研发、量产及国外商场拓展。

聚芯半导体完成超亿元Pre-A轮融

2024年12月，聚芯半导体完成超亿元Pre-A轮融资，由华金本钱领投，深圳高新投、深担创投、国证投资、北京虹石、广州珩创、北京翰龙知行、深圳云创、半山创投等多家著明创投基金跟投。公司成立于2023年，专注研发出产纳米二氧化铈CMP抛光液，操纵于碳化硅、氮化镓及14n 以下先进制程，系半导体中枢工艺材料。其珠海金湾基地已建成年产能6000吨的当代化产线，产物通过国表里多家芯片代工场、封测企业考证，遮盖半导体、光学等领域。资金将用于千吨级产线智能化升级及研发插足。

罗姆与台积电协作联袂研发车载氮化镓功率器件

罗姆官网音尘，12月10日，民众半导体巨头罗姆与台积电告示真切协作，共同开发车载氮化镓功率器件。两边将整合罗姆的器件设想技巧与台积电进步的GaN-on-Silicon工艺，要点突破电动汽车的车载充电器和逆变器操纵。这次协作基于罗姆2023年奏效推出的 650V EcoGaN™系列产物，该产物已用于恣虐电子及工业设备。

安森好意思买下晶圆厂，业界推断可能用于出产氮化镓器件

外媒音尘，2024年12月13日，安森好意思以及2000万好意思元价钱购置位于德威特一家空置芯片工场，并商酌雇佣100+职工，业界推断可能用于出产氮化镓器件。

英诺赛科港股上市

2024年12月30日，英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（以下简称“英诺赛科”或“公司”）认真在香港集结交往所主板挂牌上市，股票代码02577.HK。这是国内半导体行业的一件大事。手脚一家专注于氮化镓（GaN）功率器件研发、出产与销售的企业，英诺赛科的上市不仅是企业本身发展的蹙迫里程碑，更标记着国内第三代半导体技巧加快走向国外商场。

2025年1月

德州仪器推出新一代的氮化镓技巧，助力进步光伏逆变器设想性能

2025年1月，Ti德州仪器就怎样采选氮化镓技巧来进步光伏逆变器设想性能开展了一个洽商会，在这次洽商会中展示了三个基于TI氮化镓技巧的光伏系统参考设想，并要点先容了TIDA-010933和TIDA-010938两个逆变器设想。分辩可吹法螺家用储能系统的需乞降更大功率的光伏系统。

另外，德州仪器还推出了两款100V集成式氮化镓功率模块：LMG20004R和LMG3000R017。这些模块集成了启动、欠压保护和自举电路，简略权贵简化系统设想并提高功率密度。

关系阅读：

1、德州仪器推出新一代的氮化镓技巧，助力进步光伏逆变器设想性能

丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆

1月8日，丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆，企采选Na-flux工艺处理大尺寸单晶助长不毛。该衬底用于垂直GaN晶体管，性能优于市售衬底。该神色获日本环境省营救，此前已量产1500V横向GaN 器件用于太阳能发电，这次突破为高功率电子设备提供中枢器件复旧。

MACOM扩建氮化镓晶圆厂

1月14日，好意思企MACOM于告示投资3.45亿好意思元，对马萨诸塞州和北卡罗来纳州的半导体工场进行全面升级。马萨诸塞州工场将扩建洁净室，升级4英寸晶圆产线并引入6英寸碳化硅基氮化镓技巧。

2025年2月

龙腾半导体获西安控股追加投资，加快鼓励8英寸功率半导体神色二期拓荒

据“西安发布”音尘，2025年2月，西安投资对龙腾半导体追加股权投资，全力营救其8英寸功率半导体器件制造神色二期晶圆产线拓荒进度。

英诺赛科功率TO247-4L E-Mode合封氮化镓新品

2025年2月，英诺赛科告示发布新产物，其采选TO-247-4L 封装，集成栅极启动和短路保护的 GaN功率IC，适用于高功率密度和高效率的大功率操纵。

ISG612xTD SolidGaN IC是700V E-Mode GaN 功率 IC，Rdson 范围为 22mΩ~59mΩ（最大25C）。ISG612xTD系列采选精密Vgs栅极启动器、快速短路保护和 TO247-4L 封装，具有出色的热性能。这些建立使系统设想东说念主员简略杀青具有 Titanium Plus 效率的高频开关，功率密度比传统决策高2~3倍。

ROHM罗姆推出650V EcoGaN Power Stage IC

充电头网2月1日音尘，罗姆公司推出的650V EcoGaN Power Stage IC是专为数据就业器、工业设备以及恣虐电子设备中的AC适配器等一次侧电源开发的功率级集成电路。该产物集成了650V的GaN HEMT（高电子移动率晶体管），并通过专用的栅极启动器进一步阐扬GaN HEMT的性能。同期，产物加多了新的功能和外围元件，简略吹法螺不同操纵场景的需求。EcoGaN IC的设想不仅进步了合座系统的性能，还在体积和功耗方面阐扬出色，尤其适用于需要高效功率顾问的设备。

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1、高集成度，低功耗，罗姆EcoGaN系列产物亮相PCIM Asia 2024

英集芯推出Eco-Step PFC系列100W氮化镓电源决策

充电头网2月14日音尘，英集芯推出了一款基于降压PFC和QR反激架构设想的100W氮化镓电源DEMO，该DEMO基于自家IP2015+IP2006HT+IP2028+IP2723TH全套决策进行设想，营救90-264V宽电压输入以及100W输出，待机功耗小于150mW，效率吹法螺CoC_V5_Tier能效条目。标记着在大功率电源领域，英集芯领有为客户提供端到端一站式处理决策的才气。

英飞凌晶圆厂获9.2亿欧元补贴

当地时辰2月20日，欧盟委员会批准总数为9.2亿欧元的《欧洲芯片法案》补贴，用支援于英飞凌在德国德累斯顿拓荒的功率半导体和模拟/羼杂信号组件工场。

英诺赛科认真进入中国功率器件市值前三强！

截止2025年2月24日，英诺赛科达486.59亿元，奏效置身中国功率器件市值前三强。英诺赛科的异军突起，绝非未必。在民众半导体产业加快变革的波澜中，功率器件商场手脚要道领域，竞争本就终点热烈。华润微凭借深厚的技巧累积和等闲的商场布局，一直稳坐行业头部；士兰微也以赓续的蜕变和对商场的精确把合手，在商场中占据着蹙迫地位。而英诺赛科能在繁密竞争敌手中脱颖而出，奏效闯入市值前三，背后是其多年来在技巧研发、产能进步、商场拓展等多方面的全心布局与不懈勤奋。这不仅是英诺赛科本身发展的要紧里程碑，更是中国功率器件行业发展的一个蹙迫漂浮点，预示着行业将迎来更为热烈的竞争与全新的发展口头。

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1、英诺赛科认真进入中国功率器件市值前三强！

东科推出200W AI PC一站式氮化镓电源处理决策，零杂音与高效兼得

充电头网2月28日音尘，东科半导体推出了一站式 200W AI PC电源处理决策，基于PFC芯片DK3603AG、AHB芯片DK8718AD与同步整流芯片DK5V100R10ST1三大中枢组件，杀青了高效率、高密度与零杂音的突破。其技巧阶梯直击行业痛点，不仅适配AI PC的高算力需求，更为将来智能设备的电源设想教悔了新标杆。在AI启动的高功率期间，东科凭借全链自主技巧，正加快推动电源系统的迭代升级。

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1、东科推出200W AI PC一站式氮化镓电源处理决策，零杂音与高效兼得

英诺赛科推出100V GaN新品，改写AI与48V电源操纵规定！

充电头网2月28日音尘，英诺赛科近期推出的100V增强型GaN功率器件INN100EA035A，不仅是民众首个杀青大范围量产的100V级GaN处理决策，更通过双面散热封装与优化设想，从头界说了电源系统的性能鸿沟，为AI就业器及48V基础设施的高效率源休养提供了全新处理决策。

En-FCLGA封装通过双面散热架构与低寄生参数设想，奏效处理了高功率密度场景下的效率与可靠性矛盾。从技巧参数看，3.5mΩ级导通电阻、7nC级栅极电荷以及42nC输出电荷的组合，使该芯片在48V总线架构中展现出权贵的性能上风。相较于现存硅基决策，该器件不仅不错将功率密度进步约20%，更通过零反向归附特质镌汰了高频谐振风险，为AI就业器电源、太阳能MPPT及电机启动等场景提供了更优的半导体基础。

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1、英诺赛科推出 100V GaN新品，改写 AI 与 48V 电源操纵规定！

2025年3月

新微半导体推出650V E-mode氮化镓功率工艺代工平台

3月10日，上海新微半导体认真推出650V硅基氮化镓增强型功率工艺代工平台。该平台采选先进P帽层栅极与化学机械平坦化钨栓/铝集成电路互联工艺，杀青低名义态与高可靠性，杀青了氮化镓形色的精确按捺与低名义态。HTRB/HTGB/DHTOL等要道可靠性主义相宜JEDEC递次。采选该平台制造的器件性能越过，比导通电阻350mΩ・mm²，品质因数300mΩ・nC，兼具低开关损耗与低导通损耗，有用进步产物质能并按捺成本。

英诺赛科 (02577.HK) 认真纳入港股通！

3月10日，民众氮化镓技巧领军企业英诺赛科（股票代码：02577）认真纳入港股通所在证券名单。这一举措不仅彰显了本钱商场对氮化镓产业远景的执意信心，更标记着英诺赛科手脚“中国芯”代表的国外竞争力取得等闲认同。

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1、英诺赛科 (02577.HK) 认真纳入港股通！

台湾技巧派GaNrich嘉和半导体GaN on Sapphire 让硅基用户秒切氮化镓决策

充电头网3月12日音尘，台湾嘉和半导体股份有限公司（GaNrich Semiconductor Corp. 以下简称：GaNrich）凭借特等的蓝坚持基氮化镓（GaN on Sapphire）技巧，推出可无缝替换传统硅基与碳化硅组件的氮化镓功率器件，一举冲突行业镣铐，为AI就业器、工业电源、新能源等领域带来颠覆性处理决策。

GaNric 推出的“GaN on Sapphire”技巧，采选特等的垂直结构设想，联接蓝坚持优异的散热性能与绝缘特质，不错有用远离主控芯片与其他封装元件之间的侵犯，杀青了：无缝替换，系统升级零门槛、高可靠性，突破散热瓶颈、成本上风，加快商场化普及、主动保护机制，智能驻扎终点工况四项技巧蜕变。

AOS万国半导体推出GTPAK与GLPAK两款全新MOSFET封装决策！

充电头网3月15号音尘，民众进步的功率半导体供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited（纳斯达克代码：AOSL，以下简称：AOS）告示推出两款先进的名义贴片封装选项 ——GTPAK与GLPAK。该技巧将最初操纵于 AOGT66909 和 AOGL66901 MOSFET器件中，通过优化封装设想，助力客户在进步系统性能的同期镌汰复杂度与成本。

现在，AOGT66909与AOGL66901已全面插足量产，交货周期为14-16周，千片单价分辩为3.6好意思元与3.15好意思元。这次发布的新式封装技巧，将为下一代电动车能源系统、工业伺服启动等领域提供要道技巧复旧。跟着民众能源转型加快，AOS 将赓续加大研发插足，以技巧蜕变推动绿色能源操纵高效发展。

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1、AOS 万国半导体推出 GTPAK 与 GLPAK 两款全新MOSFET封装决策！

英诺赛科与EPC发起的专利侵权案中取得皆备顺利

2025年3月18日，好意思国专利局（USPTO）对EPC涉案专利（US’294号专利） 作出最终裁定，判决该专利所有这个词权力条目均无效且应被取销，标记着英诺赛科与EPC发起的专利侵权案中取得皆备顺利！令英诺赛科旗下产物入口好意思国不受限制。

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1、民众氮化镓专利第一案，中企取得要紧进展

致能蓝坚持衬底技巧的氮化镓功率器件奏效完成高温CCM 5000小时的严苛测试

充电头网3月26日音尘，致能在第三代半导体氮化镓功率器件领域取得要紧突破，其采选蓝坚持衬底技巧的氮化镓功率器件奏效完成高温CCM 5000小时的严苛测试，标记致能半导体在该领域达到了新的高度，为行业发展注入了普遍能源。

致能高可靠低成本的氮化镓被国内头部的手机末端厂家、工业电源、微逆电源、音箱，车载等客户等闲使用及量产。同期晶圆也与国内头部IC厂家进行合封批量出货，650V/900V/1200V晶圆得到了客户等闲认同。

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1、一文带您了解为何致能聘请蓝坚持衬底氮化镓阶梯

以上就是本次氮化镓半导体行业事件速递的一皆本体，如您需要赓续了解氮化镓半导体行业风向，您不错眷注充电头网，咱们将会赓续为您整理业界最新动向。

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